津滨网讯（记者 单毅 摄影报道）日前，“融合创新 突破边界”青禾晶元天津新型键合集成衬底量产示范线通线活动在滨海高新区成功举办。在通线活动完成后，一场以“半导体材料与器件融合技术”为主题的论坛同步启动，会上与会专家各抒己见，共同探讨剖析了半导体材料与器件融合技术的发展现状和重要性，从多个维度研讨了中国半导体行业市场变化和未来方向。

据了解，青禾晶元此次自主研发推出先进的半导体材料键合集成技术已成功实现产业化，进入量产示范阶段，使我国半导体产业实现了从“技术引进”到“自主研产”，再到“规模量产”的阶段突破，助力中国半导体技术向上发展。

中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士指出，我国半导体材料产业已取得长足进步，个别技术领域甚至具备了与国际同行并行的趋势。但总体而言，我国半导体材料产业大而不强，企业更多作为追随者同质化竞争，急需加强原始创新。面对我国当前及更长时期发展的迫切要求，加大关键核心技术的攻关是重中之重。青禾晶元秉承“融合创新，突破边界”的企业精神，自主研发推出先进的半导体材料键合集成技术，使我国在半导体复合衬底材料领域实现了阶段性突破。该技术在生产环节的落地应用，将大大增加宽禁带半导体领域的优质产品产能，带动中国整个半导体产业及周边产业发展。

在上海韦尔半导体股份有限公司 CTO纪刚看来，以SiC/GaN 为代表的第三代半导体已经成为功率器件的发展方向，是高效节能的新能源产业的基础，但也面临着衬底供应紧张，成本高居不下的情况，严重制约着器件产品规模化量产，特别是国产化的进程。青禾晶元创新式的衬底键合剥离技术为市场提供了低成本、高性能的衬底制备能力，为我们开发国产器件提供了信心，也为中国功率半导体提供了强有力的解决方案，希望与青禾晶元成为长期的战略合作伙伴。

青禾晶元董事长母凤文博士表示，先进半导体复合衬底技术是当前最先进的晶圆级异质集成技术之一，可以有效解决当前单一半导体材料性能受限、成本高、良率低等问题。本次新型键合集成衬底量产示范线通线，标志着国内先进半导体键合集成衬底产品具备了大规模量产的基础，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，抢占我国先进键合集成衬底产业在全球范围内战略制高点。公司将基于领先的技术优势和成熟的量产能力，进一步扩大产能、降低成本，以应对下游客户日益增长的产品需求。

据介绍，青禾晶元集团成立于2020年，公司聚焦于新型半导体材料的研发生产制造，2020年至今相继投资设立了青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司和位于滨海高新区的青禾晶元（天津）半导体材料有限公司。

该公司核心团队由海内外教授级专家和市场战略等领域技术人才组成。作为领先的异质集成技术与方案的提供商，青禾晶元专注于面向第三代半导体、三维集成、先进封装、功率模块封装等应用领域。青禾晶元集团是国际上少数掌握全套先进半导体衬底键合集成技术的半导体公司之一，致力于将国际前沿的半导体材料融合技术产业化，获得了多家知名产业资本和社会资本的广泛认可，目前已完成多轮融资，融资规模超6亿元人民币，极具成为独角兽企业的潜力。

母凤文博士表示，成立近3年来，青禾晶元以“融合”为精神内核，让新型材料技术得以推进和发展，让中国先进半导体材料逐渐不再成为“短板”。面向未来，青禾晶元将继续推进自主技术研发，协同创新助力行业高质量发展。